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RD3L07BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3L07BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3L07BBGTL1
Price: 2.87 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RD3L07BBGTL1

Herst.- Nr.:

RD3L07BBGTL1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

Datenblatt:

RD3L07BBGTL1 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,87	€ 2,87
	€ 2,04	€ 20,40
	€ 1,43	€ 143,00
	€ 1,26	€ 630,00
	€ 1,17	€ 1 170,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 1,17	€ 2 925,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	115 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	47 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	102 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	72 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	72 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns
Artikel # Aliases:	RD3L07BBG

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Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RSDTxxNSFH Automotive-TVS

Die ROHM Semiconductor RSDTxxNSFH Überspannungsschutzvorrichtungen (TVS) schützen empfindliche elektronische Geräte gegen Überspannungen unter 3600 W (t_p= 10/1000 µs). Diese Überspannungsschutzvorrichtungen sind unidirektional und hochzuverlässig für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen. Die RSDTxxNSFH Entstörer sind Power-Mold-Ausführungen und verfügen über eine Hochstrom-Überlastbeständigkeit. Diese Spannungsschutzvorrichtungen sind in einer Silizium-Epitaxial-Planar-Struktur verfügbar und bieten eine Verlustleistung (P_D) von 5 W. Die RSDTxxNSFH Schutzvorrichtungen von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für den Überspannungsschutz.