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RD3G08DBKHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3G08DBKHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G08DBKHRBTL
Price: 2.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RD3G08DBKHRBTL

Herst.- Nr.:

RD3G08DBKHRBTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs TO252 N-CH 40V 80A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RD3G08DBKHRBTL Datenblatt

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	€ 1,51	€ 15,10
	€ 1,08	€ 108,00
	€ 0,903	€ 451,50
	€ 0,877	€ 877,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,74	€ 1 850,00
	€ 0,731	€ 3 655,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	76 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12.1 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	56 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

Die 40 A und 80 A Automotive-Leistungs-MOSFETs von ROHM sind n-Kanal- und p-Kanal-Bauteile. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs verfügen über einen niedrigen On-Widerstand, einen gepulsten Drainstrom von ±80A/±160 A und eine Verlustleistung von bis zu 142 W. Die 40 A und 80 A Leistungs-MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben und sind 100 % avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor weisen während des Schaltens keinen Nachlaufstrom auf, was zu einem schnelleren Betrieb und reduzierten Schaltverlusten führt. Ihr niedriger On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe gewährleisten eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Diese SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM weisen minimale ON-Widerstandserhöhungen auf und bieten eine größere Miniaturisierung des Gehäuses. Dies bietet mehr Energieeinsparungen als Standard-Si-Geräte, bei denen sich der ON-Widerstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

Automotive-Bauteile

ROHM Automotive-Bauteile tragen mit ihrer langfristigen und stabilen Produktversorgung zur Entwicklung des Automotive-Sektors und der nächsten Generation von Fahrzeugen bei. Das umfangreiche Sortiment an Bauteilen von ROHM unterstützt zunehmende Computersysteme und Konnektivität. ROHM konzentriert sich auf Sicherheit, Komfort und Ökologie und bietet gleichzeitig optimale Lösungen für die Anforderungen der Kunden.

RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen der Baureihe RD3x von ROHM Semiconductor sind hochleistungsfähige Schalt- und Gleichrichterbauteile, die für den Einsatz in einer großen Auswahl von Strom- und Signalapplikationen konzipiert sind. Die gemäß AEC-Q101 qualifizierten Bauteile der Baureihe RD3x von ROHM zeichnen sich durch niedrige Durchlassspannung, eine schnelle Recoveryzeit und hohe Stromstoßbelastbarkeit aus, wodurch diese MOSFETs ideal für die effiziente Leistungsumwandlung und den Schutz von kompakten elektronischen Systemen geeignet sind. Mit auf Fahrzeuganwendungen, Industrie und Unterhaltungselektronik zugeschnittenen Optionen unterstützt die RD3-Produktfamilie Applikationen wie DC/DC-Wandler, Motortreiber, LED-Beleuchtung und batteriebetriebene Bauteile. Ein kompaktes SMD-Gehäuse (TO-252-3) und ein niedriger Ableitstrom tragen zu platzsparenden und energieeffizienten Designs bei, während die hohe Zuverlässigkeit ein stabiles Betriebsverhalten auch unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet.