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R8001CND3FRATL

Name: ROHM Semiconductor R8001CND3FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8001CND3FRATL
Price: 2.72 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-R8001CND3FRATL

Herst.- Nr.:

R8001CND3FRATL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect

Datenblatt:

R8001CND3FRATL Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 2,72	€ 2,72
	€ 1,77	€ 17,70
	€ 1,23	€ 123,00
	€ 1,04	€ 520,00
	€ 0,955	€ 955,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,881	€ 2.202,50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.7 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.5 V
Qg - Gate-Ladung:	7.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	36 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	137 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	21 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Artikel # Aliases:	R8001CND3FRA
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Datenblatt

R8001CND3FRATL Datenblatt

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

R800xxND3FRA n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor R800xxND3FRA n-Kanal-Fahrzeug-Leistungs-MOSFETs sind MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einfachen Antriebsschaltungen. Diese MOSFETs verfügen über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, eine bleifreie Beschichtung und sind AEC-Q101-qualifiziert. Die R800xxND3FRA MOSFETs sind in DPAK-Gehäusen (TO-252) verfügbar. ROHM Semiconductor R800xxND3FRA MOSFETs eignen sich für Schaltnetzteile.