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QH8KC6TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8KC6TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8KC6TCR
Price: 1.5 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-QH8KC6TCR

Herst.- Nr.:

QH8KC6TCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs TSMT8 2NCH 60V 5.5A

Datenblatt:

QH8KC6TCR Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 0,955	€ 9,55
	€ 0,637	€ 63,70
	€ 0,503	€ 251,50
	€ 0,46	€ 460,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,387	€ 1 161,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	7.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	4.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.1 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.6 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.7 ns
Artikel # Aliases:	QH8KC6

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

QH8K Dual Nch+Nch Kleinsignal-MOSFETs

Die Dual-Nch+Nch-Kleinsignal-MOSFETs QH8K von ROHM Semiconductor unterstützen eine Spannungsfestigkeit von 40 V, 60 V oder 100 V. Diese Baureihe ist für Geräte mit 24 V Eingangsspannung, z. B. Anlagen zur Fabrikautomatisierung und auf Basisstationen (Kühlgebläse) montierte Motoren, ausgelegt. Die QH8K-Bauteile bestehen aus einem Nch-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der im Vergleich zu herkömmlichen ROHM-Produkten um 58 % reduziert wird. Dies führt zu einem geringen Stromverbrauch der Komponenten. Diese MOSFETs sind in einem kleinen für die Oberflächenmontage geeigneten TSMT8-Gehäuse mit acht Anschlüssen und einer bleifreien Beschichtung verfügbar. Die Dual-Nch+Nch-Kleinsignal-MOSFETs QH8K von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Schalt- und Motorantriebsapplikationen.

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Electronic Vehicle (EV) Solutions

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