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PSMN2R0-55YLHX

Name: Nexperia PSMN2R0-55YLHX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R0-55YLHX
Price: 4.17 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN2R0-55YLHX

Herst.- Nr.:

PSMN2R0-55YLHX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1023 N-CH 55V 200A

Datenblatt:

PSMN2R0-55YLHX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 4,17	€ 4,17
	€ 2,72	€ 27,20
	€ 2,26	€ 113,00
	€ 1,89	€ 189,00
	€ 1,88	€ 470,00
	€ 1,84	€ 920,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 1,45	€ 2 175,00
	€ 1,38	€ 4 140,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-1023-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	55 V
Id - Drain-Gleichstrom:	200 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	119 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	333 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Abfallzeit:	28 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	38 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	60 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	39 ns
Artikel # Aliases:	934661304115

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Datenblatt

PSMN2R0-55YLHX Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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