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PSMN2R0-100SSFJ

Name: Nexperia PSMN2R0-100SSFJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R0-100SSFJ
Price: 7.09 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN2R0-100SSFJ

Herst.- Nr.:

PSMN2R0-100SSFJ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1235 100V 267A N-CH MOSFET

Datenblatt:

PSMN2R0-100SSFJ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 7,09	€ 7,09
	€ 4,83	€ 48,30
	€ 4,54	€ 227,00
	€ 3,69	€ 369,00
	€ 3,57	€ 3.570,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 2,20	€ 4.400,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-1235-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	267 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.07 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	161 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	341 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	47 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	36 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	95 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	42 ns
Artikel # Aliases:	934661572118

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Datenblatt

PSMN2R0-100SSFJ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs werden für Schaltapplikationen mit hohem Wirkungsgrad und hoher Zuverlässigkeit empfohlen. Die NextPower MOSFETs verfügen über einen niedrigeren 50 % R_DS(on) und eine starke Avalanche-Energieeinstufung. Die Bauteile eignen sich hervorragend für Netzteile, Telekommunikation, Industriedesigns, USB-PD-Typ-C-Ladegeräte und -Adapter sowie 48 V DC/DC-Adapter. Die Bauteile verfügen über geringe Body-Dioden-Verluste mit Q_rr bis hinunter zu 50 Nanocoulomb (nC). Dies führt zu einem niedrigeren Sperrverzögerungsstrom (I_RR), niedrigeren Spannungsspitzen (V_peak) und reduziertem Überschwingen für eine weitere optimierte Totzeit.