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PSMN1R9-40YSBX

Name: Nexperia PSMN1R9-40YSBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R9-40YSBX
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN1R9-40YSBX

Herst.- Nr.:

PSMN1R9-40YSBX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A

Datenblatt:

PSMN1R9-40YSBX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 0,601	€ 300,50
	€ 0,60	€ 900,00
	€ 0,467	€ 1 401,00
	€ 0,459	€ 2 065,50

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-SO8-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	200 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	56 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	194 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	N-Channel TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	934665891115

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ECCN:: EAR99

EMV-optimierte NextPowerS3 MOSFETs

Die EMV-optimierten NextPowerS3 MOSFETs von Nexperia sind in einem Raumfahrt LFPAK56-Gehäuse mit hohem Wirkungsgrad untergebracht. Diese MOSFETs sind Avalanche-fähig. Die NextPowerS3 MOSFETs unterstützen eine maximale Sperrschichttemperatur von +175°C. Diese MOSFETs sind EU-RoHS-konform. Die NextPowerS3 MOSFETs verfügen über eine Spitzenlöttemperatur von +260°C und einen Lagertemperaturbereich von -55°C bis +175°C. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und bürstenlose DC-Motorsteuerung.