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PSMN1R7-40YLBX

Name: Nexperia PSMN1R7-40YLBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R7-40YLBX
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN1R7-40YLBX

Herst.- Nr.:

PSMN1R7-40YLBX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A

Datenblatt:

PSMN1R7-40YLBX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 0,599	€ 299,50
	€ 0,523	€ 784,50
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-SO8-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	200 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.05 V
Qg - Gate-Ladung:	79 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	194 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	31 ns
Artikel # Aliases:	934665890115

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EMV-optimierte NextPowerS3 MOSFETs

Die EMV-optimierten NextPowerS3 MOSFETs von Nexperia sind in einem Raumfahrt LFPAK56-Gehäuse mit hohem Wirkungsgrad untergebracht. Diese MOSFETs sind Avalanche-fähig. Die NextPowerS3 MOSFETs unterstützen eine maximale Sperrschichttemperatur von +175°C. Diese MOSFETs sind EU-RoHS-konform. Die NextPowerS3 MOSFETs verfügen über eine Spitzenlöttemperatur von +260°C und einen Lagertemperaturbereich von -55°C bis +175°C. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und bürstenlose DC-Motorsteuerung.