Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

PSMN012-100YSFX

Name: Nexperia PSMN012-100YSFX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN012-100YSFX
Price: 1.62 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN012-100YSFX

Herst.- Nr.:

PSMN012-100YSFX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT669 100V 65A N-CH MOSFET

Datenblatt:

PSMN012-100YSFX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Nexperia PSMN012-100YSFX

Auf Lager: 1 648

Lagerbestand:: 1 648 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,62	€ 1,62
	€ 1,03	€ 10,30
	€ 0,955	€ 47,75
	€ 0,691	€ 69,10
	€ 0,548	€ 274,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,508	€ 762,00
	€ 0,391	€ 1 173,00
	€ 0,375	€ 1 687,50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO8-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	65 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	29 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	130 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.5 ns
Artikel # Aliases:	934662281115

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

PSMN012-100YSFX Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NextPower 80-/100-V-MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs werden für Schaltapplikationen mit hohem Wirkungsgrad und hoher Zuverlässigkeit empfohlen. Die NextPower MOSFETs verfügen über einen niedrigeren 50 % R_DS(on) und eine starke Avalanche-Energieeinstufung. Die Bauteile eignen sich hervorragend für Netzteile, Telekommunikation, Industriedesigns, USB-PD-Typ-C-Ladegeräte und -Adapter sowie 48 V DC/DC-Adapter. Die Bauteile verfügen über geringe Body-Dioden-Verluste mit Q_rr bis hinunter zu 50 Nanocoulomb (nC). Dies führt zu einem niedrigeren Sperrverzögerungsstrom (I_RR), niedrigeren Spannungsspitzen (V_peak) und reduziertem Überschwingen für eine weitere optimierte Totzeit.