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PMPB07R3ENX

Name: Nexperia PMPB07R3ENX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMPB07R3ENX
Price: 0.9 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMPB07R3ENX

Herst.- Nr.:

PMPB07R3ENX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 12A

Datenblatt:

PMPB07R3ENX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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€ -,--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,903	€ 0,90
	€ 0,562	€ 5,62
	€ 0,412	€ 20,60
	€ 0,363	€ 36,30
	€ 0,27	€ 270,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,215	€ 645,00
	€ 0,198	€ 1 188,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

PMPB07R3ENAX

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 0,72

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT1220-2-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	19 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	12.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.8 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3 ns
Artikel # Aliases:	934662428115

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Datenblatt

PMPB07R3ENX Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte

Nexperia Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte bieten WLCSP- und unbedrahtete DFN-Gehäuse für mobile und tragbare Applikationen. Die SSMOS-Gehäuse von Nexperia bieten eine extrem kleine DFN-Lösung in der heutigen häufig verwendeten Rastermaß-Größe von 0,35 mm. Diese extrem kleinen Gehäuse sind eine ideale Ersatzlösung, wo Platz entscheidend ist. Sie bieten eine erhebliche Platzeffizienz bei minimalem Montageaufwand. Alle Teile sind sowohl als n-Kanal als auch p-Kanal erhältlich und mit einem ESD-Schutz von > 2 kV und einer hohen Leistungsfähigkeit von > 1.300 mW ausgestattet.