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PMH600UNEH

Name: Nexperia PMH600UNEH
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMH600UNEH
Price: 0.25 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMH600UNEH

Herst.- Nr.:

PMH600UNEH

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT8001 N-CH 20V .8A

Datenblatt:

PMH600UNEH Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,258	€ 0,26
	€ 0,167	€ 1,67
	€ 0,113	€ 5,65
	€ 0,106	€ 10,60
	€ 0,068	€ 68,00
	€ 0,052	€ 130,00
	€ 0,046	€ 230,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	€ 0,046	€ 460,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-0606-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	800 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	620 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	450 mV
Qg - Gate-Ladung:	310 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	625 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	36 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.1 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1 ns
Artikel # Aliases:	934660487125
Gewicht pro Stück:	0,447 mg

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Datenblatt

PMH600UNEH Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

DFN0606 Trench-MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench-MOSFETs sind zur Verwendung mit der Trench-MOSFET-Technologie ausgelegt, um eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr schnelle Schaltung zu bieten. Diese MOSFETs von Nexperia verfügen über einen Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) und sind in einem unbedrahteten, extrem kleinen DFN0606-3-Kunststoffgehäuse (SOT8001) zur Oberflächenmontage (SMD) verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Mobiltelefone, Wearables und tragbare Geräte, Zubehör für Mobiltelefone, Kopfhörer, Ohrhörer und Hörgeräte.