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PMCB60XNEZ

Name: Nexperia PMCB60XNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMCB60XNEZ
Price: 0.56 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMCB60XNEZ

Herst.- Nr.:

PMCB60XNEZ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT8026 N-CH 30V 3.5A

Datenblatt:

PMCB60XNEZ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 0,568	€ 0,57
	€ 0,349	€ 3,49
	€ 0,308	€ 15,40
	€ 0,224	€ 22,40
	€ 0,223	€ 44,60
	€ 0,169	€ 84,50
	€ 0,137	€ 137,00
	€ 0,121	€ 605,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	€ 0,121	€ 1 210,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSN10063-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	55 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Nexperia
Abfallzeit:	74 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6.7 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	107 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Artikel # Aliases:	934662892326

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Datenblatt

PMCB60XNEZ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte

Nexperia Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte bieten WLCSP- und unbedrahtete DFN-Gehäuse für mobile und tragbare Applikationen. Die SSMOS-Gehäuse von Nexperia bieten eine extrem kleine DFN-Lösung in der heutigen häufig verwendeten Rastermaß-Größe von 0,35 mm. Diese extrem kleinen Gehäuse sind eine ideale Ersatzlösung, wo Platz entscheidend ist. Sie bieten eine erhebliche Platzeffizienz bei minimalem Montageaufwand. Alle Teile sind sowohl als n-Kanal als auch p-Kanal erhältlich und mit einem ESD-Schutz von > 2 kV und einer hohen Leistungsfähigkeit von > 1.300 mW ausgestattet.