PJQ5437E_R2_00201 MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 38 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel
Panjit PJQ5437E-R2-00201
Panjit MOSFETs
Datenblatt
N/A