PJQ4435EP_R2_00201 MOSFETs

Ergebnisse: 2
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 41 A 12.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 150 C 33.8 W Enhancement Reel
Panjit PJQ4435EP-R2-00201
Panjit MOSFETs
Datenblatt
N/A