NXH011F120M3F2PTHG

onsemi
863-H011F120M3F2PTHG
NXH011F120M3F2PTHG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

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onsemi
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
SiC
Press Fit
PIM-34
N-Channel
1.2 kV
105 A
16 mOhms
- 10 V, + 22 V
2.72 V
- 40 C
+ 175 C
244 W
NXH011F120M3F2PTHG
Tray
Marke: onsemi
Konfiguration: Full Bridge
Abfallzeit: 12.6 ns
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 12.7 ns
Verpackung ab Werk: 20
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Handelsname: EliteSiC
Typ: Full Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit: 110.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 30.9 ns
Vf - Durchlassspannung: 5.21 V
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH0x0F120MNF1 SiC-MOSFETs

Onsemi   NXH0x0F120MNF1 SiC-MOSFETs sind Leistungsmodule, die eine Vollbrücke und einen Thermistor in einem F1-Gehäuse enthalten. Diese MOSFETs verfügen über Thermistoren und Einpressstifte.  Die NXH0x0F120MNF1 Module haben sowohl ein zuvor aufgebrachtes Wärmeschnittstellenmaterial (TIM) als auch keine zuvor aufgebrachten TIM-Optionen. Diese Module eignen sich hervorragend für den Einsatz in Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Industrieleistung. Die NXH0x0F120MNF1 Module sind bleifrei, halidfrei und RoHS-konform. Diese Module sind mit -40°C bis 150°C im Lagertemperaturbereich und einem Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 175°C verfügbar.