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NVMFS6H818NT1G

Name: onsemi NVMFS6H818NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H818NT1G
Price: 2.89 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFS6H818NT1G

Herst.- Nr.:

NVMFS6H818NT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs TRENCH 8 80V NFET

Datenblatt:

NVMFS6H818NT1G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,89	€ 2,89
	€ 1,93	€ 19,30
	€ 1,38	€ 138,00
	€ 1,22	€ 610,00
	€ 1,20	€ 1 200,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 1,03	€ 1 545,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	123 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	98 ns
Serie:	NVMFS6H818N
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	49 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

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Datenblatt

NVMFS6H818NT1G Datenblatt

Models

NVMFS6H818NT1G Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs

onsemi NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs bieten 80 V, einen Einzel-n-Kanal und einen kleinen Footprint für ein kompaktes Design. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit Widerstandsbereichen von 2,1 mΩ, 2,8 mΩ und 3,7 mΩ verfügbar. Funktionen umfassen einen geringen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, einen geringen Q_G und eine niedrige Kapazität. Die NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs sind RoHS-konform und AEC-Q101-qualifiziert. Diese Leistungs-MOSFETs werden bei einem Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben.

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi / Fairchild PowerTrench^® MOSFETs bieten ein umfangreiches Portfolio von MOSFETs in der Branche. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und p-Kanal-Versionen, die für eine niedrige R_DS(ON)-Schaltleistung und Unempfindlichkeit optimiert sind. Zu den typischen Applikationen gehören Lastschalter, Primärschalter, mobile Rechner, DC/DC-Wandler und Synchrongleichrichter.