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NVH4L012N065M3S

Name: onsemi NVH4L012N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L012N065M3S
Price: 18.91 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVH4L012N065M3S

Herst.- Nr.:

NVH4L012N065M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVH4L012N065M3S Datenblatt

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	102 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	17 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	135 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	12 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	23 ns
Serie:	NVH4L012N065M3S
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	49 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns

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Datenblatt

NVH4L012N065M3S Datenblatt

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EliteSiC (Siliziumkarbid) 650-V-MOSFETs

Onsemi EliteSiC (Siliziumkarbid) 650-V-MOSFETs verwenden eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der niedrige On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Folglich umfassen die Vorteile des Systems den höchsten Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Das TOLL-Gehäuse von onsemi bietet dank der Kelvin-Quellenkonfiguration und einer niedrigeren parasitären Quelleninduktivität eine verbesserte thermische Leistungsfähigkeit und eine ausgezeichnete Schaltleistung. TOLL bietet eine Feuchteempfindlichkeit von Stufe 1 (MSL 1).