Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NVD5C684NLT4G

Name: onsemi NVD5C684NLT4G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVD5C684NLT4G
Price: 1.95 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVD5C684NLT4G

Herst.- Nr.:

NVD5C684NLT4G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 60V LL DPAK

Datenblatt:

NVD5C684NLT4G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NVD5C684NLT4G

Auf Lager: 4 946

Lagerbestand:: 4 946 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 44 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,95	€ 1,95
	€ 1,32	€ 13,20
	€ 0,929	€ 92,90
	€ 0,74	€ 370,00
	€ 0,691	€ 691,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,619	€ 1 547,50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	38 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	13.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	9.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	27 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	40 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	30 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	43 ns
Serie:	NVD5C684NL
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NVD5C684NLT4G Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVD5C Leistungs-MOSFETs

Die NVD5C Leistungs-MOSFETs von onsemi sind AEC-Q101-qualifiziert und bieten robuste Lösungen für Automobil-Applikationen. Die NVD5C Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten und niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Diese Einzel-N-Kanal-MOSFETs sind in einem kompakten, oberflächenmontierbaren DPAK-Gehäuse untergebracht und sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.
Mehr erfahren

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.