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NVD5C668NLT4G

Name: onsemi NVD5C668NLT4G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVD5C668NLT4G
Price: 2.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVD5C668NLT4G

Herst.- Nr.:

NVD5C668NLT4G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 60V LL DPAK

Datenblatt:

NVD5C668NLT4G Datenblatt

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,34	€ 2,34
	€ 1,51	€ 15,10
	€ 1,04	€ 104,00
	€ 0,842	€ 421,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,715	€ 1 787,50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	49 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	18.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	44 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	62 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	60 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	74 ns
Serie:	NVD5C668NL
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

NVD5C668NLT4G Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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