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NVD5C446NT4G

Name: onsemi NVD5C446NT4G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVD5C446NT4G
Price: 2.01 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVD5C446NT4G

Herst.- Nr.:

NVD5C446NT4G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V SL DPAK

Datenblatt:

NVD5C446NT4G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,01	€ 2,01
	€ 1,53	€ 15,30
	€ 1,11	€ 111,00
	€ 0,98	€ 490,00
	€ 0,894	€ 894,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,833	€ 2 082,50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	101 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	34.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	101 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	17 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	100 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	62 ns
Serie:	NVD5C446N
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

NVD5C446NT4G Datenblatt

Models

NVD5C446NT4G Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVD5C Leistungs-MOSFETs

Die NVD5C Leistungs-MOSFETs von onsemi sind AEC-Q101-qualifiziert und bieten robuste Lösungen für Automobil-Applikationen. Die NVD5C Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten und niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Diese Einzel-N-Kanal-MOSFETs sind in einem kompakten, oberflächenmontierbaren DPAK-Gehäuse untergebracht und sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.
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Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi / Fairchild PowerTrench^® MOSFETs bieten ein umfangreiches Portfolio von MOSFETs in der Branche. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und p-Kanal-Versionen, die für eine niedrige R_DS(ON)-Schaltleistung und Unempfindlichkeit optimiert sind. Zu den typischen Applikationen gehören Lastschalter, Primärschalter, mobile Rechner, DC/DC-Wandler und Synchrongleichrichter.