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NTMTS4D3N15MC

Name: onsemi NTMTS4D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS4D3N15MC
Price: 6.51 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMTS4D3N15MC

Herst.- Nr.:

NTMTS4D3N15MC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL

Datenblatt:

NTMTS4D3N15MC Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 6,51	€ 6,51
	€ 4,27	€ 42,70
	€ 3,64	€ 364,00
	€ 3,59	€ 1 795,00
	€ 3,36	€ 3 360,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 3,12	€ 9 360,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	174 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.45 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	79 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	293 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	177 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Serie:	NTMTS4D3N15MC
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	48 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	38 ns

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Datenblatt

NTMTS4D3N15MC Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Industrielle Motorantriebe

onsemi Industrie-Motorantriebe sind für die globale Nachhaltigkeit ausgelegt und liefern effiziente, erneuerbare Technologien und intelligente Leistung. Laut der vom US- Energieministerium (DOE) veröffentlichten Marktanalyse für 2020 (MSMA) verbrauchen Industriepumpen und Laufwerke jährlich fast 15 % des gesamten US- Rasters. Die MSMA von 2020 schätzt auch, dass jährlich 32,3 Millionen Tonnen CO2-Emissionen eingespart werden können, indem VFDs eingesetzt werden. Onsemi stellt eine breite Palette von VFD Halbleiter Bauelementen her, einschließlich Gate-Treiber. MOSFETs IGBTs und EliteSiC.

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Die n-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind MOSFETs mit kleinem Footprint und kompaktem Design mit niedrigem R_DS(on) und geringer Kapazität. Der niedrige R_DS(on)-Wert sorgt für eine Reduzierung der Leitungsverluste und die geringe Kapazität reduziert die Treiberverluste. Diese n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei und RoHS-konform und verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.