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NTMFS7D8N10GTWG

Name: onsemi NTMFS7D8N10GTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS7D8N10GTWG
Price: 3.91 EUR
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

863-NTMFS7D8N10GTWG

Herst.- Nr.:

NTMFS7D8N10GTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE

Datenblatt:

NTMFS7D8N10GTWG Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,91	€ 3,91
	€ 2,59	€ 25,90
	€ 1,84	€ 184,00
	€ 1,70	€ 850,00
	€ 1,69	€ 1 690,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 1,44	€ 4 320,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	110 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	92 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	187 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTMFS7D8N10G
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTMFS7D8N10GTWG Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi sind N-Kanal-MOSFETs, die Einschaltwiderstand minimieren und eine überragende Schaltleistung mit der erstklassigen Soft-Body-Diode bieten. Dieser MOSFET bietet im Vergleich zu anderen MOSFETs eine niedrigere Q_rr. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verringern Schaltgeräusche/elektromoagnetische Störung (EMI). Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, sowie über eine niedrige Q_G und Kapazität, um die Verluste im Treiber zu reduzieren. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench-MOSFETs kommen in einem kleinen PQFN8-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm für kompakte Designs. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR), AC-DC- und DC/DC-Netzteile, AC-DC-Adapter (USB Power Delivery) SR, und Lastschalter.