Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTMFS6D2N08XT1G

Name: onsemi NTMFS6D2N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS6D2N08XT1G
Price: 1.24 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS6D2N08XT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS6D2N08XT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTMFS6D2N08XT1G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTMFS6D2N08XT1G

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 1 500

erwartet ab 17.04.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 23

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 1,24	€ 1,24
	€ 0,783	€ 7,83
	€ 0,519	€ 51,90
	€ 0,41	€ 205,00
	€ 0,37	€ 370,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,339	€ 508,50
	€ 0,306	€ 918,00
	€ 0,296	€ 2 664,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	73 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	19 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	68 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	24 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	48 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTMFS6D2N08XT1G Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs von onsemi sind Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in den Kategorien 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten, erhöhtem Systemwirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(on), um Leitungsverluste zu minimieren, und eine niedrige Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren. Die T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Q_RRund eine Soft-Recovery-Body-Diode. Diese MOSFETs entsprechen der RoHS-Richtlinie und sind bleifrei und halogenfrei/BFR-frei. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC- und AC-DC-Wandlern, Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, Batterieschutz und Motorantriebe.