Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTMFS5H400NLT1G

Name: onsemi NTMFS5H400NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS5H400NLT1G
Price: 2.43 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS5H400NLT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS5H400NLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 40V LOW COSS

Datenblatt:

NTMFS5H400NLT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTMFS5H400NLT1G

Auf Lager: 819

Lagerbestand:: 819 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 30 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,43	€ 2,43
	€ 1,67	€ 16,70
	€ 1,42	€ 142,00
	€ 1,39	€ 1 390,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 1,30	€ 1 950,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	330 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	120 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	160 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	17 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	350 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	140 ns
Serie:	NTMFS5H
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	51 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTMFS5H400NLT1G Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NTMFS5 Leistungs-MOSFETs

onsemi NTMFS5 Leistungs-MOSFETs sind 40V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit einem SO-8FL-Logikpegel. Der niedrige ON-Widerstand des NTMFS5 reduziert Leitungsverluste. Die niedrige Gate-Ladung und Kapazität des MOSFETs verringern die Treiberverluste. Die NTMFS5 Leistungs-MOSFETs sind mit einer kompakten Grundfläche von 5 x 6 mm erhältlich und eignen sich ideal für Netcom, Telekommunikation, Server, AC-Adapter und kleine Hand-Elektrowerkzeuge.
Mehr erfahren

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.