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NTMFS0D6N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D6N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D6N04XMT1G
Price: 2.57 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS0D6N04XMT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS0D6N04XMT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

Datenblatt:

NTMFS0D6N04XMT1G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,57	€ 2,57
	€ 1,68	€ 16,80
	€ 1,16	€ 116,00
	€ 0,963	€ 481,50
	€ 0,826	€ 826,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,818	€ 1 227,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	380 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	570 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	86.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15.3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	175 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15.6 ns
Serie:	NTMFS0D6N04XM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	58.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	33.9 ns

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Datenblatt

NTMFS0D6N04XMT1G Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2025-9-30 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

PowerTrench Technologie

Die onsemi PowerTrench Technologie stellt die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

40-V-Leistungs-MOSFETs

onsemi 40-V-Leistungs-MOSFETs verfügen über eine Standard-Gate-Pegeltechnologie und einen erstklassigen On-Widerstand. Die MOSFETs von onsemi sind für Motortreiber-Applikationen ausgelegt. Die Bauteile reduzieren Leitungs- und Antriebsverluste wirksam mit niedrigem On-Widerstand und reduzierter Gate-Ladung. Darüber hinaus bieten die MOSFETs eine ausgezeichnete Weichheitskontrolle für die Sperrverzögerung der Body-Dioden, wodurch die Belastung der Spannungsspitzen wirksam reduziert wird, ohne dass eine zusätzliche Snubber-Schaltung in Applikationen erforderlich ist.