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NSVMUN5213DW1T3G

Name: onsemi NSVMUN5213DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMUN5213DW1T3G
Price: 0.23 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSVMUN5213DW1T3G

Herst.- Nr.:

NSVMUN5213DW1T3G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Digitaltransistoren SS SC88 BR XSTR NPN 50V

Datenblatt:

NSVMUN5213DW1T3G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,232	€ 0,23
	€ 0,142	€ 1,42
	€ 0,089	€ 8,90
	€ 0,065	€ 32,50
	€ 0,052	€ 52,00
	€ 0,045	€ 225,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	€ 0,04	€ 400,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Digitaltransistoren
RoHS:
Konfiguration:	Dual
Transistorpolung:	NPN
Regeleingangswiderstand:	47 kOhms
Regelwiderstandsverhältnis:	1
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363-6
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Kollektorgleichstrom:	100 mA
Pd - Verlustleistung:	250 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MUN5213DW1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Betriebstemperaturbereich:	- 55 C to + 150 C
Produkt-Typ:	Digital Transistors
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6,200 mg

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Datenblatt

NSVMUN5213DW1T3G Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren

Onsemi bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren sind als Ersatz für ein einzelnes Bauteil und das zusätzliche externe Widerstands-Vorspannungsnetzwerk ausgelegt. Der Vorspannungswiderstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen besteht (ein Basisserienwiderstand und ein Basis-Emitter-Widerstand). Durch die Integration dieser einzelnen Bauelemente in einem einzigen Bauteil vereinfacht der BRT auf diesen bipolaren NPN-Digitaltransistoren von onsemi das Schaltungsdesign und eliminiert diese. Ein BRT reduziert auch die Systemkosten und den Board-Platz.