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NSS40302PDR2G

Name: onsemi NSS40302PDR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS40302PDR2G
Price: 1.56 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSS40302PDR2G

Herst.- Nr.:

NSS40302PDR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A

Datenblatt:

NSS40302PDR2G Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,56	€ 1,56
	€ 0,989	€ 9,89
	€ 0,664	€ 66,40
	€ 0,525	€ 262,50
	€ 0,48	€ 480,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,424	€ 1 060,00
	€ 0,408	€ 4 080,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	NPN, PNP
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	3 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	40 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	40 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V, 7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	82 mV, 135 mV
Pd - Verlustleistung:	783 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	100 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	NSS40302PD
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	200 at 10 mA, 2 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	143 mg

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Datenblatt

NSS40302PDR2G Datenblatt

PCN

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung

Die e2PowerEdge Transistoren mit niedriger V_CE(sat)-Spannung von onsemi sind oberflächenmontierte Bauteile mit extrem niedriger Sättigungsspannung (VCE_(sat)) und hoher Stromverstärkungsfähigkeit. Sie sind für Niederspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen konzipiert, bei denen eine kostengünstige und effiziente Energiesteuerung unerlässlich ist. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Mobiltelefone, PDAs, Computer, Drucker, Digitalkameras und MP3-Player. Weitere Applikationen sind Niederspannungs-Motorsteuerungen in Massenspeicherprodukten wie Scheiben- und Bandantrieben. Diese können für den Airbag-Einsatz und Kombiinstrumente in der Automotive-Industrie verwendet werden. Die hohe Stromverstärkung ermöglicht die Ansteuerung der e2PowerEdge-Bauteile von onsemi direkt von den Steuerausgängen der PMUs und die lineare Gain (Beta) machen sie zu idealen Komponenten in analogen Verstärkern.