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NSS20200DMTTBG

Name: onsemi NSS20200DMTTBG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS20200DMTTBG
Price: 0.87 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSS20200DMTTBG

Herst.- Nr.:

NSS20200DMTTBG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

Datenblatt:

NSS20200DMTTBG Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 0,55	€ 5,50
	€ 0,359	€ 35,90
	€ 0,277	€ 138,50
	€ 0,251	€ 251,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,217	€ 651,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN6
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	20 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	20 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	250 mV
Serie:	NSS20200DM
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	220
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NSS20200DMTTBG Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung

Die e2PowerEdge Transistoren mit niedriger V_CE(sat)-Spannung von onsemi sind oberflächenmontierte Bauteile mit extrem niedriger Sättigungsspannung (VCE_(sat)) und hoher Stromverstärkungsfähigkeit. Sie sind für Niederspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen konzipiert, bei denen eine kostengünstige und effiziente Energiesteuerung unerlässlich ist. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Mobiltelefone, PDAs, Computer, Drucker, Digitalkameras und MP3-Player. Weitere Applikationen sind Niederspannungs-Motorsteuerungen in Massenspeicherprodukten wie Scheiben- und Bandantrieben. Diese können für den Airbag-Einsatz und Kombiinstrumente in der Automotive-Industrie verwendet werden. Die hohe Stromverstärkung ermöglicht die Ansteuerung der e2PowerEdge-Bauteile von onsemi direkt von den Steuerausgängen der PMUs und die lineare Gain (Beta) machen sie zu idealen Komponenten in analogen Verstärkern.