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NSBC144EDP6T5G

Name: onsemi NSBC144EDP6T5G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSBC144EDP6T5G
Price: 0.29 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSBC144EDP6T5G

Herst.- Nr.:

NSBC144EDP6T5G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Digitaltransistoren SOT-963 DUAL NBRT

Datenblatt:

NSBC144EDP6T5G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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€ -,--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 8000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,292	€ 0,29
	€ 0,179	€ 1,79
	€ 0,113	€ 11,30
	€ 0,083	€ 41,50
	€ 0,066	€ 66,00
	€ 0,063	€ 157,50
	€ 0,059	€ 295,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 8000)
	€ 0,046	€ 368,00
	€ 0,044	€ 1 056,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Digitaltransistoren
RoHS:
Konfiguration:	Dual
Transistorpolung:	NPN
Regeleingangswiderstand:	47 kOhms
Regelwiderstandsverhältnis:	1
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-963-6
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Kollektorgleichstrom:	100 mA
Spitzen-Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	NSBC144EDP6
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	Digital Transistors
Verpackung ab Werk:	8000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NSBC144EDP6T5G Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541211000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren

Onsemi bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren sind als Ersatz für ein einzelnes Bauteil und das zusätzliche externe Widerstands-Vorspannungsnetzwerk ausgelegt. Der Vorspannungswiderstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen besteht (ein Basisserienwiderstand und ein Basis-Emitter-Widerstand). Durch die Integration dieser einzelnen Bauelemente in einem einzigen Bauteil vereinfacht der BRT auf diesen bipolaren NPN-Digitaltransistoren von onsemi das Schaltungsdesign und eliminiert diese. Ein BRT reduziert auch die Systemkosten und den Board-Platz.