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MUN5213DW1T3G

Name: onsemi MUN5213DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-MUN5213DW1T3G
Price: 0.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-MUN5213DW1T3G

Herst.- Nr.:

MUN5213DW1T3G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Digitaltransistoren SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V

Datenblatt:

MUN5213DW1T3G Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,206	€ 0,21
	€ 0,127	€ 1,27
	€ 0,08	€ 8,00
	€ 0,058	€ 29,00
	€ 0,046	€ 46,00
	€ 0,04	€ 200,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	€ 0,032	€ 320,00
	€ 0,029	€ 580,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

MUN5213DW1T1G

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 0,21

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Digitaltransistoren
RoHS:
Transistorpolung:	NPN
Regeleingangswiderstand:	47 kOhms
Regelwiderstandsverhältnis:	1
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363-6
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Pd - Verlustleistung:	187 mW, 256 mW
Serie:	MUN5213DW1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	Digital Transistors
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6 mg

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Datenblatt

MUN5213DW1T3G Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren

Onsemi bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren sind als Ersatz für ein einzelnes Bauteil und das zusätzliche externe Widerstands-Vorspannungsnetzwerk ausgelegt. Der Vorspannungswiderstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen besteht (ein Basisserienwiderstand und ein Basis-Emitter-Widerstand). Durch die Integration dieser einzelnen Bauelemente in einem einzigen Bauteil vereinfacht der BRT auf diesen bipolaren NPN-Digitaltransistoren von onsemi das Schaltungsdesign und eliminiert diese. Ein BRT reduziert auch die Systemkosten und den Board-Platz.