Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

MSC060SMB120B4N

Name: Microchip MSC060SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC060SMB120B4N
Price: 6.29 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-MSC060SMB120B4N

Herst.- Nr.:

MSC060SMB120B4N

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MSC060SMB120B4N Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Microchip Technology MSC060SMB120B4N

Auf Lager: 117

Lagerbestand:: 117 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 1 Woche Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 6,29	€ 6,29
	€ 5,81	€ 174,30
	€ 5,05	€ 606,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	38 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	45 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	192 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	13 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

MSC060SMB120B4N Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-1-8 (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

ECCN:: EAR99

1200 V SIC-MOSFETs

Die 1200 V SIC-MOSFETs von Microchip Technology bieten einen hohen Wirkungsgrad in einer leichteren, kompakteren Lösung. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen internen Gate-Widerstand (ESR), der eine schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglicht. Die MOSFETs sind einfach anzusteuern und problemlos parallel zu schalten, mit verbesserten thermischen Eigenschaften und geringeren Schaltverlusten.