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MR25H128AMDF

Name: Everspin Technologies MR25H128AMDF
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR25H128AMDF
Price: 12.36 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

936-MR25H128AMDF

Herst.- Nr.:

MR25H128AMDF

Herst.:

Everspin Technologies

Beschreibung:

MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

Datenblatt:

MR25H128AMDF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 11,13	€ 278,25
	€ 11,07	€ 553,50
	€ 9,40	€ 5 358,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Everspin Technologies
Produktkategorie:	MRAM
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Schnittstellen-Typ:	SPI
Speichergröße:	128 kbit
Organisation:	16 k x 8
Datenbus-Weite:	8 bit
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Betriebsversorgungsstrom:	6 mA, 23 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MR25H128A
Verpackung:	Tray
Marke:	Everspin Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Pd - Verlustleistung:	600 mW
Produkt-Typ:	MRAM
Verpackung ab Werk:	570
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	Serial I/O (SPI)
Gewicht pro Stück:	5,163 g

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Datenblatt

MR25H128AMDF Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.