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MR20H40CDF

Name: Everspin Technologies MR20H40CDF
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR20H40CDF
Price: 25.9 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

936-MR20H40CDF

Herst.- Nr.:

MR20H40CDF

Herst.:

Everspin Technologies

Beschreibung:

MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI

Datenblatt:

MR20H40CDF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 22,08	€ 2.208,00
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Everspin Technologies
Produktkategorie:	MRAM
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Schnittstellen-Typ:	SPI
Speichergröße:	4 Mbit
Organisation:	512 k x 8
Datenbus-Weite:	8 bit
Zugangszeit:	20 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Betriebsversorgungsstrom:	13.8 mA, 33 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	MR20H40
Verpackung:	Tray
Marke:	Everspin Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Pd - Verlustleistung:	600 mW
Produkt-Typ:	MRAM
Verpackung ab Werk:	570
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	Serial I/O (SPI)
Gewicht pro Stück:	37,400 mg

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Datenblatt

MR20H40CDF Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 854232031
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.