MASTERGAN1

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1
MASTERGAN1

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
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Datenblatt:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marke: STMicroelectronics
Entwicklungs-Kit: EVALMASTERGAN1
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 680 uA
Produkt-Typ: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 330 mOhms
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 1560
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück: 120 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen RDS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.

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