LF2106NTR

IXYS Integrated Circuits
747-LF2106NTR
LF2106NTR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber HI LO Side DRVR 130mA SOIC(N)-8

Datenblatt:
ECAD Model:
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 1,07 € 1,07
€ 0,776 € 7,76
€ 0,702 € 17,55
€ 0,621 € 62,10
€ 0,582 € 145,50
€ 0,559 € 279,50
€ 0,549 € 549,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
€ 0,549 € 1 372,50
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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IXYS
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Driver ICs - Various
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
10 V
20 V
100 ns
35 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: IXYS Integrated Circuits
Logiktyp: CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 280 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 300 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 120 uA
Pd - Verlustleistung: 625 mW
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 30 ns
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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TARIC:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs

IXYS High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs bieten eine Senken-/Quellen-Ausgangsstrombelastbarkeit von 600 mA/290 mA bis 4,5 A/4,5 A. Die Bauteile verfügen über einen großen Betriebsspannungsbereich von 10 V bis 20 V. Zu den Schutzfunktionen gehören Unterspannungssperre (UVLO) und Durchzündungsschutz. Die High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs von IXYS werden von -40 °C bis +125 °C betrieben und sind in SOIC-8-, -14-, -16-Industriestandard-Gehäusen und Pinbelegungen verfügbar.

Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs

Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS umfassen Hochspannungs-Gate-Treiber mit hoher Geschwindigkeit und dreiphasige Gate-Treiber-ICs. Diese Bauteile sind für die Ansteuerung von zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration oder High-Side/Low-Side-Konfiguration ausgelegt. Die Hochspannungstechnologie ermöglicht es, die Hochspannungsseite im Bootstrap-Betrieb auf 600 V zu schalten. Die Treiber bieten Puffer mit hohem Impulsstrom, die für minimale Treiber-Querströme ausgelegt sind. Zu den weiteren Merkmalen gehören Logikschaltungen mit 3,3-V-Fähigkeit, Schmitt-getriggerte Logikeingänge und UVLO-Schutz (Unterspannungssperre). Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS arbeiten über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.

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