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IXSA20N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA20N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA20N120L2-7TR
Price: 5.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSA20N120L2-7TR

Herst.- Nr.:

IXSA20N120L2-7TR

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO263

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXSA20N120L2-7TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 5,31	€ 5,31
	€ 4,08	€ 40,80
	€ 3,29	€ 329,00
	€ 2,92	€ 1 460,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	€ 2,50	€ 2 000,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	208 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	29 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	10.4 ns
Serie:	IXSxNxL2Kx
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.4 ns

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Datenblatt

IXSA20N120L2-7TR Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [R_DS(ON)]. Der Einschaltwiderstand liegt zwischen 25 mΩ und 160 mΩ, und der Dauersenkenstrom (I_D) liegt zwischen 20 A und 111 A. Diese Bauteile bieten Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit geringer Kapazität und verfügen über eine ultraschnelle intrinsische Body-Diode. Diese sind mit einer Drain-Source-Spannung (V_DSS) von 650 V oder 1.200 V verfügbar. Die IXYS IXSxNxL2Kx MOSFETs aus Siliciumcarbid (SiC) werden in drei Gehäusen angeboten (TO-263-7L, TOLL-8 und TO-247-4L).