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IXFH90N65X3

Name: IXYS IXFH90N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH90N65X3
Price: 15.84 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH90N65X3

Herst.- Nr.:

IXFH90N65X3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247

Datenblatt:

IXFH90N65X3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	90 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	33 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.2 V
Qg - Gate-Ladung:	95 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	960 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	38 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	63 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns

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Datenblatt

IXFH90N65X3 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

HiPerFET™ Leistungs-MOSFETs der X3-Klasse

Die HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs der X3-Klasse von IXYS sind Avalanche-bewertete n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs. Die X3-Klasse bietet eine hohe Leistungsdichte und ist einfach zu montieren, alles in einem platzsparenden Paket. Die IXYS MOSFETs der X3-Klasse sind hervorragend für den Einsatz in Schaltmodus- und Resonanzmodus-Netzteilen.