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ISC151N20NM6ATMA1

Name: Infineon ISC151N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC151N20NM6ATMA
Price: 4.65 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC151N20NM6ATMA

Herst.- Nr.:

ISC151N20NM6ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET >150 - 400V

Datenblatt:

ISC151N20NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 4,65	€ 4,65
	€ 3,29	€ 32,90
	€ 2,37	€ 237,00
	€ 2,30	€ 1 150,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 1,96	€ 9 800,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	74 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.7 V
Qg - Gate-Ladung:	31 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	200 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	15 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	ISC151N20NM6 SP005562947

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Datenblatt

ISC151N20NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Leistungs-MOSFETs bieten die modernste Innovation der nächsten Generation und eine erstklassige Performance. Die OptiMOS 6 Produktfamilie nutzt die Dünnwafer-Technologie, die wesentliche Leistungsvorteile ermöglicht. Verglichen mit alternativen Produkten liefern die OptiMOS 6 Leistungs-MOSFETs einen um 30 % reduzierten R_DS(ON) und sind für die Synchrongleichrichtung optimiert.

OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs

Die OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind n-Kanal-Normalpegel-MOSFETs, die in den Gehäusen PG-TO263-3 PG-TO220-3 und PG-HDSOP-16 erhältlich sind. Diese MOSFETs verfügen über ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x R_DS(on) -Produkt (FOM), eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr) und einen niedrigen On‑Widerstand R_DS(on). Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs arbeiten bei einer Temperatur von 175 °C. Diese MOSFETs sind halogenfrei gemäß IEC61249-2‑21 und haben eine Feuchteempfindlichkeit (MSL 1) klassifiziert gemäß J‑STD-020 Standard. Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs sind ideal fürerneuerbare Energien, Motorsteuerung, Audioverstärker und Industrieapplikationen.

OptiMOS™ 3 n-Kanal-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 n-Kanal-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem bleifreien SuperSO8-Gehäuse. Die OptiMOS 3 MOSFETs erhöhen die Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent in Industrie-, Unterhaltungselektronik- und Telekommunikations-Applikationen.OptiMOS™ 3 ist in n-Kanal-MOSFETs von 40 V, 60 V und 80 V in SuperSO8- und Shrink-SuperSO8-Gehäusen (S3O8) verfügbar. Im Vergleich zu Standard-TO(Transistor Outline)-Gehäusen verbessern die SuperSO8-Produkte die Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent.