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ISC019N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC019N08NM7ATMA
Price: 3.05 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC019N08NM7ATMA

Herst.- Nr.:

ISC019N08NM7ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

ISC019N08NM7ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	209 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.2 V
Qg - Gate-Ladung:	60 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	188 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	70 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.3 ns
Serie:	OptiMOS 7
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Artikel # Aliases:	ISC019N08NM7 SP006166279

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Datenblatt

ISC019N08NM7ATMA1 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Malaysia

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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ISC019N08NM7ATMA1

Herst.: Infineon Technologies

Beschreibung: MOSFETs OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

Technische Daten

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