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IPD079N06L3GATMA1

Name: Infineon IPD079N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-PD079N06L3GATMA1
Price: 1.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-PD079N06L3GATMA1

Herst.- Nr.:

IPD079N06L3GATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET 60V

Datenblatt:

IPD079N06L3GATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,34	€ 1,34
	€ 0,86	€ 8,60
	€ 0,585	€ 58,50
	€ 0,46	€ 230,00
	€ 0,421	€ 421,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,358	€ 895,00
	€ 0,347	€ 1 735,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	79 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	71 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	26 ns
Serie:	XPD079N06
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	IPD079N06L3 G SP005559925

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Datenblatt

IPD079N06L3GATMA1 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 3 n-Kanal-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 n-Kanal-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem bleifreien SuperSO8-Gehäuse. Die OptiMOS 3 MOSFETs erhöhen die Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent in Industrie-, Unterhaltungselektronik- und Telekommunikations-Applikationen.OptiMOS™ 3 ist in n-Kanal-MOSFETs von 40 V, 60 V und 80 V in SuperSO8- und Shrink-SuperSO8-Gehäusen (S3O8) verfügbar. Im Vergleich zu Standard-TO(Transistor Outline)-Gehäusen verbessern die SuperSO8-Produkte die Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent.