IPB95R310PFD7ATMA1

Infineon Technologies
726-IPB95R310PFD7ATM
IPB95R310PFD7ATMA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs LOW POWER_NEW

ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
950 V
17.5 A
310 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 4 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 10 ns
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
Artikel # Aliases: SP005547008
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ PFD7 950-V-SJ-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ PFD7 950-V-SJ-MOSFETs bieten Superjunction-Technologien (SJ). Die SJ-Technologie eignet sich durch die Integration einer erstklassigen Leistungsfähigkeit mit modernster Benutzerfreundlichkeit hervorragend für Beleuchtungs- und Industrie-SNT-Applikationen. Die PFDJ bietet eine integrierte ultraschnelle Body-Diode, die den Einsatz in Resonanztopologien mit der geringsten Sperrverzögerungsladung (Qrr) ermöglicht.