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IKY75N120CH7XKSA1

Name: Infineon IKY75N120CH7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKY75N120CH7XKSA
Price: 7.67 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKY75N120CH7XKSA

Herst.- Nr.:

IKY75N120CH7XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package

Datenblatt:

IKY75N120CH7XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Serie:	IGBT7 H7
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IKY75N120CH7 SP005578297

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Datenblatt

IKY75N120CH7XKSA1 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1.200 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 diskrete Transistoren

Die diskreten Transistoren Infineon Technologies 1.200 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 sind die 7. Generation der 1.200 V TRENCHSTOP™ IGBTs, die mit Mikrostruktur-Trench-Technologie entwickelt wurden. Diese diskreten IGBTs bieten ein hohes Maß an Steuerbarkeit, geringe Leitungsverluste, geringe Schaltverluste, verbessertes EMI Betriebsverhalten und Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungsbedingungen. Die diskreten H7 IGBT7 Transistoren ermöglichen die Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands (bis zu 5 Ω) bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung eines hervorragenden Schaltverhaltens. Diese Transistoren werden in Schnellladeanlagen für Elektrofahrzeuge, industriellen Heiz- und Schweißanlagen sowie in unterbrechungsfreien Stromversorgungs (UPS) Applikationen.

IGBT7 Diskrete Bauteile

Die IGBT7 Discretes von Infineon Technologies sind die 7. Generation der TRENCHSTOP™ -IGBTs, die mit der Micro-Pattern-Trench-Technologie entwickelt wurden. Die fortschrittliche Technologie bietet eine beispiellose Steuerung und Leistung, was zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer erhöhten Leistungsdichte in Applikationen führt.

Diskrete IGBT7-H7-TRENCHSTOP™-Transistoren von 650 V

TRENCHSTOP™ IGBT7-H7 650 V Infineon Technologies diskrete Transistoren verfügen über eine fortschrittliche Technologie, welche die Nachfrage nach effizienten Energieapplikationen erfüllt. Die 650 V Transistoren von Infineon Technologies verfügen über ein hochmodernes Mikromuster-Trench-Design für präzise Steuerung und hohe Leistungsfähigkeit. Das Design führt zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einen verbesserten Wirkungsgrad und eine verbesserte Leistungsdichte in verschiedenen Branchen, wie z. B. String-Wechselrichter, Energiespeichersysteme (ESS), EV-Ladung, Industrie-USV und Schweißen.