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IKW30N60H3

Name: Infineon IKW30N60H3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW30N60H3
Price: 2.92 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKW30N60H3

Herst.- Nr.:

IKW30N60H3

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs 600V 30A 187W

Datenblatt:

IKW30N60H3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 1,45	€ 145,00
	€ 1,22	€ 585,60
	€ 1,04	€ 1 248,00
	€ 0,989	€ 2 610,96
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IKW30N60H3FKSA1

Verpackung:

Tube

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 2,93

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.95 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	60 A
Pd - Verlustleistung:	187 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT3
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IKW3N6H3XK SP000703042 IKW30N60H3FKSA1
Gewicht pro Stück:	6,500 g

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low V_CEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.