IDW20G65C5XKSA1

Infineon Technologies
726-IDW20G65C5XKSA1
IDW20G65C5XKSA1

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden SIC DIODES

Datenblatt:
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Infineon
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
Single
20 A
650 V
1.5 V
103 A
1.1 uA
- 55 C
+ 175 C
XDW20G65
Tube
Marke: Infineon Technologies
Pd - Verlustleistung: 112 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 240
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: CoolSiC
Vr - Sperrspannung: 650 V
Artikel # Aliases: IDW20G65C5 SP001632900
Gewicht pro Stück: 6 g
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TARIC:
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ECCN:
EAR99

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

CoolSiC™ Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden

Die Siliziumkarbid-CoolSiC™ -MOSFETs und -Dioden von Infineon bieten ein Portfolio, das den Bedarf an intelligenterer und effizienterer Energieerzeugung, -übertragung und -nutzung abdeckt. Das CoolSiC-Portfolio erfüllt die Kundenanforderungen nach einer Verringerung der Systemgröße und -kosten bei Systemen mit mittlerer bis hoher Leistung, während gleichzeitig die höchsten Qualitätsstandards eingehalten werden, eine lange Systemlebensdauer gewährleistet und die Zuverlässigkeit garantiert wird. Mit CoolSiC werden Kunden die strengsten Effizienzziele erreichen und gleichzeitig die Betriebskosten senken. Das Portfolio umfasst CoolSiC-Schottky-Dioden, CoolSiC-Hybridmodule, CoolSiC-MOSFET-Module und diskrete sowie EiceDRIVER™ -Gate-Treiber-ICs für die Ansteuerung von Siliziumkarbid-Geräten.

Schaltnetzteile (SMPS)

Infineon Technologies bietet eine breite Palette von kostengünstigen Produkten für Verbraucherschaltnetzteile (SMPS). Das beinhaltet Hochspannungs-MOSFETs, Steuerungs-ICs und Siliziumkarbid-Dioden für PFC- und PWM-Stufen sowie Niederspannungs-MOSFETs für die Synchrongleichrichtung. Mit diesen Produkten hält Infineon nicht nur mit dem kontinuierlich ansteigenden Energieverbrauch Schritt, sondern erfüllt zudem die wichtige Forderung nach Energieeinsparungen. Die neue CoolMOS™ 600V C6-Familie ist besonders vielseitig und kombiniert Effizienz und einen günstigen Preis, genau wie die SiC-Dioden der 3. Generation. Zur Synchrongleichrichtung bietet die OptiMOS™-Serie einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und niedrige Kapazitäten. Die neuen Steuer-ICs von Infineon unterstützen Topologien wie PFC, quasi-resonante Sperrwandler und LLC.
Weitere Informationen

Switch Mode Power Supplies - High Power Topology

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies - High Power Topology is suitable for power applications above 400W. Following the front end stage of an AC/DC rectifier, a DC/DC power converter is required to step down the bus voltage and provide a galvanically isolated and tightly regulated DC output (12V, 24V, 48V). While a wide range of isolated topologies are available, the phase-shifted full-bridge converter is more suitable for higher power applications for reasons such as its inherent zero-voltage Switching for the primary side switches.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

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