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HT8MB5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MB5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MB5TB1
Price: 1.64 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-HT8MB5TB1

Herst.- Nr.:

HT8MB5TB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSMT8 NPCH 40V 12A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

HT8MB5TB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 1,64	€ 1,64
	€ 1,05	€ 10,50
	€ 0,703	€ 70,30
	€ 0,558	€ 279,00
	€ 0,518	€ 518,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,483	€ 1.449,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V, 40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A, 15 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	47 mOhms, 56 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.5 nC, 16.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	13 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	2.7 ns, 41 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.1 S, 6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.7 ns, 29 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns, 86 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns, 9.6 ns

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HT8MB5TB1 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

ROHM Semiconductor Klein-Signal-Zweikanal MOSFETs zeichnen sich durch geringen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten aus. Diese MOSFETs sind RoHs-konform und verfügen über eine bleifreie Beschichtung. Die Zweikanal-MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -55°°C bis 150 °°C. Diese MOSFETs werden in Motorantrieben und Applikationen verwendet.