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GP2T040A120J

Name: SemiQ GP2T040A120J
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T040A120J
Price: 10.15 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GP2T040A120J

Herst.- Nr.:

GP2T040A120J

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET

Datenblatt:

GP2T040A120J Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	66 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	38 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	112 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	357 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	GP2T020A120
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns

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Datenblatt

GP2T040A120J Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.