Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

GCMX080B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080B120S1-E1
Price: 17.46 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX080B120S1-E1

Herst.- Nr.:

GCMX080B120S1-E1

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227

Datenblatt:

GCMX080B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu SemiQ GCMX080B120S1-E1

Auf Lager: 7

Lagerbestand:: 7 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 2 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 17,46	€ 17,46
	€ 12,54	€ 125,40
	€ 10,34	€ 1 034,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	77 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	142 W
Verpackung:	Tube
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
If - Durchlassstrom:	10 A
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	4 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	High Speed Switching
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Vf - Durchlassspannung:	3.8 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

GCMX080B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.