GCMX040A120B2H2P

SemiQ
148-GCMX040A120B2H2P
GCMX040A120B2H2P

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

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SemiQ
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
SiC
Press Fit
B2
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
56 A
52 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
217 W
GCMX
Bulk
Marke: SemiQ
Abfallzeit: 11 ns
Höhe: 15 mm
Länge: 62.8 mm
Produkt: Modules
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 7 ns
Verpackung ab Werk: 40
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Typ: Full Bridge Module
Regelabschaltverzögerungszeit: 29 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 16 ns
Vf - Durchlassspannung: 3.5 V
Breite: 33.8 mm
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Ausgewählte Attribute: 0

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

GCMX 1.200 V SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule

SemiQ GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule bieten geringe Schaltverluste, einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und eine sehr robuste und einfache Montage. Diese Module montieren den Kühlkörper direkt (isoliertes Gehäuse) und enthalten eine Kelvin-Referenz für einen stabilen Betrieb. Alle Teile wurden strengen Tests unterzogen, um Spannungen über 1.350 V zu widerstehen. Das charakteristische Merkmal dieser Module ist die robuste 1.200-V-Drain-Source-Spannung. Die GCMX Vollbrückenmodule werden bei einer Sperrschichttemperatur von 175°C betrieben und sind RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Photovoltaik-Wechselrichter, Akkuladegeräte, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.