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GCMS080B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS080B120S1-E1
Price: 19.19 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMS080B120S1-E1

Herst.- Nr.:

GCMS080B120S1-E1

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227

Datenblatt:

GCMS080B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	COPACK Power Module
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Pd - Verlustleistung:	142 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	77 mOhms
Anstiegszeit:	4 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V

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Datenblatt

GCMS080B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.