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FS520R12A8P1LBHPSA1

Name: Infineon FS520R12A8P1LBHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS520R12A8P1LBHP
Price: 428.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FS520R12A8P1LBHP

Herst.- Nr.:

FS520R12A8P1LBHPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module HYBRID PACK DRIVE G2 SI

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

FS520R12A8P1LBHPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	IGBT Modules
Konfiguration:	Hex
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.48 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	520 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Pd - Verlustleistung:	1 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Press Fit
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	Drive G2
Verpackung ab Werk:	6
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Technologie:	Si
Handelsname:	HybridPACK
Artikel # Aliases:	FS520R12A8P1LB SP005850366

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Datenblatt

FS520R12A8P1LBHPSA1 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Module

Die HybridPACK ™ Drive G2 Module von Infineon Technologies sind kompakte Leistungsmodule für den Antrieb von Hybrid - und Elektrofahrzeugen. Die G2-Module von Infineon Technologies bieten skalierbare Leistungsniveaus unter Verwendung von Si- oder SiC-Technologien und verschiedenen Chipsätzen bei gleichbleibender Modulgröße. Die im Jahr 2017 eingeführte Modul mit Silizium-EDT2-Technologie wurde für mehr Effizienz im realen Fahrbetrieb optimiert. Im Jahr 2021 wurde eine CoolSiC™ -Version eingeführt, die eine höhere Zelldichte und bessere Leistung bietet. Im Jahr 2023 wurde die zweite Generation, HybridPACK Drive G2, mit EDT3- (Si IGBT) und CoolSiC™ G2-MOSFET-Technologien auf den Markt gebracht, die eine einfache Nutzung und Integrationsmöglichkeiten für Sensoren bietet und eine Leistung von bis zu 300 kW in den Klassen 750 V und 1.200 V ermöglicht.